氟化铵和三氧化二铝

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为克服现有技术中氧化硅层斜面的蚀刻速率存在差异，产生二段角，不利于金属粒子在其表面沉积的问题，本申请提供一种用于氧化硅层的BOE蚀刻液，所述蚀刻液包括氟化氢、氟化铵、含氟羧酸化合物、阳离子表面活性剂和水，所述含氟羧酸化合物的质量百分含量为0.05%～0.30%,所述阳是什么。

江阴江化微电子材料股份有限公司申请一项名为“一种半导体氧化硅深孔的蚀刻清洗剂及蚀刻方法“公开号CN117683544A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体氧化硅深孔的蚀刻清洗剂，包括以下组分：0.5%～5%的氟化氢、6%～20%的氟化铵、30%～60小发猫。

?０? 包括以下操作步骤：获取水溶液：包括氢氧化锂水溶液和氟化铵水溶液；获取油液：所述油液包括溶剂、助表面活性剂、表面活性剂和聚合物，所述溶剂选自不溶于水或微溶于水的有机溶剂，所述聚合物包括聚丙烯酰胺(PAAM)、聚丙烯酸联羟基丙交酯(PAAL)、聚苯乙烯磺酸钠(PSSS)和聚马来等会说。