铝和二氧化硅电极_铝和二氧化锰

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铝和二氧化锰专利名为“一种制备二氧化硅用的pH检测装置”，专利申请号为CN202320868830.0,授权日为2024年2月2日。专利摘要：本实用新型公开了一种制备二氧化硅用的pH检测装置，属于pH检测技术领域，包括pH电极，pH电极设在取样槽内，取样槽的入口连接有循环泵的出口，pH电极上设有清洗管等会说。

铝和二氧化碳可以发生化学反应吗苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺“授权公告号CN110061066B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺，步骤包括：在硅片衬底表面形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第一二氧化硅薄还有呢？

铝和二氧化锰在高温下反应的化学方程式专利名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺”，专利申请号为CN201910358286.3,授权日为2024年2月9日。专利摘要：一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺，步骤包括：在硅片衬底表面形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第一二氧化硅薄膜层的一第一区域；对第一区是什么。

铝和二氧化碳的反应方程式二氧化硅层、光波导结构、缓冲层和加热电极，二氧化硅层设置在衬底上方，光波导结构设置在二氧化硅层上，缓冲层覆盖在光波导结构外并位于二氧化硅层上，加热电极设置在缓冲层上，温度监控方法包括：获取加热电极的当前电压和当前电流；根据当前电压和当前电流计算得出加热电极的当还有呢？