衬底是三氧化二铝吗

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公开号CN117747599A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，一种电容器结构包括：下电极结构，设置在衬底上，该下电极结构包括具有4个价电子的第一金属的氧化物，并且掺杂有具有3、5、6或7个价电子的第二金属；介电图案，设置在下电极结构的侧壁上；以及上电极，设置在介电图案的侧说完了。

步骤包括：在硅片衬底表面形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第一二氧化硅薄膜层的一第一区域；对第一区域进行第一掺杂形成N+区；将第一二氧化硅薄膜层去除，清洗后形成第二二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第二二氧化硅薄膜层的一第二区域，与第一区域间隔设置；对第二区域进行第二掺后面会介绍。

申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明涉及光学器件领域，特别是涉及一种平面光波导芯片和平面光波导芯片的制造方法。主要包括：Si衬底、下包层、平板芯层、上包层一、上包层二和上包层三。Si衬底的材料为硅基二氧化硅波导材料；下包层的材料为掺杂B和P的SiO。本文源自是什么。